طراحی و شبیه سازی یک تقویت کننده کم نویز کم توان در تکنولوژی 0.18 µm CMOS در استاندارد UWB با حذف تداخل های داخل باند(فرمت ورد Word و با قابلیت ویرایش اماده پرینت 102 ص
نوشته شده توسط : زپو

 طراحی و شبیه سازی یک تقویت کننده کم نویز کم توان در تکنولوژی 0.18 µm CMOS در استاندارد UWB  با حذف تداخل های داخل باند(فرمت ورد  Word و با قابلیت ویرایش اماده پرینت  102 ص


با قابلیت ویرایش و دریافت فایل در فرمت word ورد  تعداد صفحات 102

چکیده

تکنولوژی مخابرات پیشرفت عمده ای به جلو داشته است. رشد فوق العاده صنعت بی سیم، دسترسی جهانی به اینترنت و حتی افزایش نیاز و تقاضای انتقال اطلاعات با سرعت بالا ضرورت گام های بزرگ در زمینه تکنولوژی مخابرات را ایجاد می‌نماید. یکی از اجزای غیر قابل تعویض هر گیرنده فرکانس بالا، تقویت کننده جلویی کم نویز آن می باشد. به عنوان اولین بلوک ساخته شده در جلوی گیرنده، تقویت کننده کم نویز باید ماکزیمم بهره را تولید کند، در حالی که نویز وارد شده به سیستم را به صورت همزمان به حداقل برساند. فرستنده- گیرنده های فرکانس بالابرای کار در استاندارد های مختلف طراحی می‌شوند. استاندارد باند بسیار پهن (UWB)یکی از این استانداردها است که در باند فرکانسی3.1-10.6 GHz کار می‌کند. این استاندارد قادر به افزایش نرخ انتقال اطلاعات تا 450 Mb/S می باشد. یکی از چالش های مهم پیش رو در استفاده از سیستم باند بسیار وسیع حضور سیگنال های مزاحم و تداخلگر در باند فرکانسی آنها می باشدکه می تواند اثرات ویرانگری روی سیگنال در یافت شده در گیرنده بگذارند.

فهرست مطالب

چکیده

مقدمه و پیشگفتار

فصل اول: مفاهیم پایه در بلوک‌های تقویت‌کننده کم نویز

1-1 اصول مقدماتی برای طراحی یک بلوک LNA

1-2 نویز

1-2-1 نویز حرارتی

1-2-2 منابع مهم نویز در المان‌های MOS

1-3 عدد نویز

1-4 حساسیت

1-5 اثرات غیرخطی

1-5-1 خطی‌سازی در سطح سیستم

1-6 تطبیق در ورودی

1-7 پارامترهای S

1-8 تداخل در in band و out band

فصل دوم: استانداردهای شبکه‌های بی‌سیم

2-1 مشکلات نرخ داده و پهنای باند مورد نیاز

2-2 سیستم‌های جهانی برای ارتباط بی‌سیم

2-3 سیستم‌های بی‌سیم برای فواصل کوتاه

2-4 مشخصات سیستم‌های باند پهن

2-5 معرفی تقویت‌کننده‌های کم‌نویز با پهنای باند زیاد

2-6 روش‌های طراحی بلوک‌های LNA

2-6-1 انواع ساختار‌های LNA با پهنای باند زیاد

فصل سوم: انواع روش‌های پیاده‌سازی تقویت‌کننده‌های کم نویز با باند بسیار پهن

3-1 CG LNA

3-2 CS LNA

3-3 سیستم های LNA با پهنا ی باند زیاد و فیدبک منفی

3-4 بلوک های LNA با پهنا ی باند زیاد با حذف نویز حرارتی

 

فصل چهارم: طراحی تقویت کننده کم نویز به منظور حذف تداخلهای داخل باند

4-1 تقویت کننده کم نویز گیت مشترک با حذف تداخلی قابل تنظیم در In band

4-1-1 تحلیل نویز و بهره

4-1-2 تحلیل notch filter

4-1-3 نتایج شبیه سازی

4-2 تقویت کننده کم نویر با حذف تداخل با فیلتر شکاف (IR- LNA

4-2-1 نتایج شبیه سازی

4-3 تقویت کننده کم نویز طراحی شده با حذف تداخل در In band

4-3-1 اصول طراحی مدار

4-3-1-1 تطبیق امپدانس ورودی

4-3-1-2 پاشخ فرکانسی S21

4-3-1-3 پاسخ فرکانسی NF

4-3-1-4 تحلیل Notch filter

4-3-2 نتایج شبیه سازی

4-3-2-1 نتایج شبیه سازی LNA-1

4-3-2-2طراحی تقویت کننده کم نویز با سلف تزویج

4-3-2-3 نتایج شبیه سازیLNA-2

4-4 نتایج

فصل پنجم:نتیجه گیری و پیشنهادات

5-1 نتیجه گیری

5-2 ارائه پیشنهاد برای کارهای آینده

منابع


خرید و دانلود  طراحی و شبیه سازی یک تقویت کننده کم نویز کم توان در تکنولوژی 0.18 µm CMOS در استاندارد UWB  با حذف تداخل های داخل باند(فرمت ورد  Word و با قابلیت ویرایش اماده پرینت  102 ص






:: برچسب‌ها: طراحی و شبیه سازی یک تقویت کننده کم نویز کم توان در تکنولوژی 0 , 18 µm CMOS در استاندارد UWB با حذف تداخل های داخل باند(فرمت ورد 102 ص ) , طراحی و شبیه سازی , تقویت کننده کم نویز کم توان در تکنولوژی , ر تکنولوژی 0 , 18 µm CMOS ,
:: بازدید از این مطلب : 28
|
امتیاز مطلب : 0
|
تعداد امتیازدهندگان : 0
|
مجموع امتیاز : 0
تاریخ انتشار : شنبه 21 مرداد 1395 | نظرات ()
مطالب مرتبط با این پست
لیست
می توانید دیدگاه خود را بنویسید


نام
آدرس ایمیل
وب سایت/بلاگ
:) :( ;) :D
;)) :X :? :P
:* =(( :O };-
:B /:) =DD :S
-) :-(( :-| :-))
نظر خصوصی

 کد را وارد نمایید:

آپلود عکس دلخواه: