بی شک همه ی دانشجویان رشته برق با پروفسور بهزاد رضوی آشنا هستند. کتاب طراحی مدارهای مجتمع CMOS آنالوگ از جمله برترین کتاب های ایشان می باشد. این کتاب بهترین مرجع برای درس مدارهای مجتمع کارشناسی ارشد مهندسی برق الکترونیک می باشد و دانلود این کتاب را به همه ی دانشجویان عزیز پیشنهاد می کنیم. اینک در این پست حل تمرین کتاب طراحی مدارهای مجتمع CMOS آنالوگ دکتر رضوی برای شما دانشجویان عزیز آماده دانلود می باشد. سر فصل های این کتاب به شرح زیر است : ۱- مقدمه ای بر طراحی انالوگ ۲- فیزیک افزاره MOS ۳- تقویت کننده های یک طبقه ۴- تقویت کننده های تفاضلی ۵- آینه های جریان فعال و غیر فعال ۶- پاسخ فرکانسی تقویت کننده ها ۷- نویز ۸- فیدبک ۹- تقویت کننده های عملیاتی ۱۰- پایداری و جبران سازی فرکانسی ۱۱- مراجع Bandgap ۱۲- معرفی مدارهای سوئیچ خازنی ۱۳- غیر خطینگی و ناهمسانی ۱۴- اسیلاتورها ۱۵- حلقه های قفل شده در فاز PLL ۱۶- اثرات کانال کوتاه و مدل افزاره ۱۷- CMOS Processing Technology ۱۸- Layout and Packaging  

:: برچسب‌ها: cmos , razavi , رضوی , الکترونیک , حل المسائل طراحی مدار های مجتمع آنالوگ CMOS دکتر بهزاد رضوی , حل المسائل طراحی مدار های مجتمع آنالوگ CMOS , مدار مجتمع , طراحی مدارهای مجتمع انالوگ ,
:: بازدید از این مطلب : 58

|

امتیاز مطلب : 0

|

تعداد امتیازدهندگان : 0

|

مجموع امتیاز : 0

تقویت کننده ی شبه تفاضلی کلاس-AB برمبنای اینورتر CMOS برای کاربردهای HF
چکیده__ این مقاله یک تقویت کننده ی شبه-تفاضلی کلاس-AB برمبنای اینورتر CMOS برای کاربردهای HF، با استفاده از مدار ساده rail-to-rail CMFB را ارایه می دهد. مدار ارایه شده، دارای دو اینورتر CMOS و فیدبک حالت-مشترک مکمل (CMFB) _که خود متشکل از آشکارساز حالت-مشترک حالت جریان و تقویت کننده های ترنز-امپدانسی (transimpedance)، بوده_ می باشد. این مدار با استفاده از فناوری CMOS 0.18 نانومتری تحت ولتاژ منبع 1 ولت، طراحی شده است، و نتایج شبیه سازی نشان می دهند که نوسان خروجی rail to rail با استفاده از گین حالت-مشترک پایین (-15 dB)، بدست می آید. نوسان خروجی مدار 0.7 v می باشد. تلفات توان مدار 0.96 میکرووات می باشد.

:: برچسب‌ها: تقویت کننده , تقویت کننده ی شبه تفاضلی , تقویت کننده ی شبه تفاضلی کلاس-AB , کاربردهای HF , اینورتر CMOS برای کاربردهای HF , CMOS , CMOS Inverter-Based Class-AB , HF Applications , مقاله انگلیسی برق , مقاله انگلیسی برق با ترجمه , مقاله انگلیسی برق و الکترونیک , مقاله انگلیسی برق با ترجمه فارسی ,
:: بازدید از این مطلب : 56

|

امتیاز مطلب : 0

|

تعداد امتیازدهندگان : 0

|

مجموع امتیاز : 0

مبدل DC-DC بوست - بوست يا باك - بوست تك سلفه مجتمع با كنترل توان - توزيعي
چكيده: اين مقاله يك مبدل DC-DC بوست - بوست يا باك - بوست خروجي دوگانه تك سلفه ( SIDO) كاملاً مجتمع با كنترل توان – توزيعي را ارائه مي دهد. اين كانورتر تحت كنترل مد ولتاژ براي داشتن امنيت بهتر در مقابل نويز كار مي كند و از سوئيچهاي قدرت/اجزاي جبرانسازي خارجي كمتري براي كاهش هزينه استفاده مي كند و بنابراين براي كاربردهاي سيستم هاي با تراشه (SoC) مناسب است. كانورتر SIDO پيشنهادي در تكنولوژي TSMC .35 µm 2P4M CMOS با ولتاژ منبع ورودي 2.7-3.3 ولت ساخته شده است. خروجي اول VO1 مي تواند در هر يك از مدهاي باك يا بوست عمل كند (ولتاژ خروجي بين 2.5 تا 5ولت)، در حاليكه خروجي دوم VO2 مي تواند فقط در مد بوست عمل كند (ولتاژ خروجي 3.6 ولت).

:: برچسب‌ها: DC-DC , كنترل توان - توزيعي , SIDO , CMOS , Integrated Single-Inductor Buck-Boost , Boost-Boost DC-DC Converter , Power-Distributive Control , مقاله انگلیسی برق , مقاله انگلیسی برق و الکترونیک , مقاله انگلیسی برق با ترجمه , مقاله انگلیسی برق با ترجمه فارسی ,
:: بازدید از این مطلب : 73

|

امتیاز مطلب : 0

|

تعداد امتیازدهندگان : 0

|

مجموع امتیاز : 0

ضرب کننده ولتاژ مبنی بر اینورتر CMOS جدید
چکیده__ چهار ضرب کننده ولتاژ برمبنای اینورتر CMOS جدید تشکیل شده از ترانزیستورهای عبور PMOS/NMOS، مدارات اینورتر، و خازن ها، در این مقاله ارایه شده اند. ضرب کننده های ولتاژ ارایه شده که عملیات یکسوسازها و پمپ های شارژ را با هم انجام می دهند، بازده ی تبدیل توان را بالا برده و تعداد مولفه های واکنشی (غیر فعال یا پسیو) را کاهش می دهد، بنابر این برای ساخت آی سی مناسب می باشند. ضرب کننده ولتاژ با ولتاژ خروجی مثبت، توسط فرآیندهای TSMC 0.35μm CMOS 2P4M پیاده سازی شده، و نتایج آزمایشی نیز مطابقت خوبی با تجزیه و تحلیل های نظری داشتند. سطح تراشه ی بدون پد، به ازای ولتاژ خروجی مثبت پنج-مرحله ای ضرب کننده ولتاژ، تنها 1.75×1.32 mm2 می باشد.

:: برچسب‌ها: ضرب کننده ولتاژ , اینورتر CMOS جدید , CMOS , CMOS Inverter-Based Voltage Multipliers , مقاله انگلیسی برق , مقاله انگلیسی برق و الکترونیک , مقاله انگلیسی برق با ترجمه , مقاله انگلیسی برق با ترجمه فارسی ,
:: بازدید از این مطلب : 75

|

امتیاز مطلب : 0

|

تعداد امتیازدهندگان : 0

|

مجموع امتیاز : 0

LECTOR: روشی برای کاهش نشتی در مدارات CMOS
چکیده___در مدارات سیموس،کاهش ولتاژ آستانه به دلیل مقیاس بندی ولتاژ،منتهی به جریان نشتی زیرآستانه و در نتیجه تلفات توان ایستا (استاتیک) می شود. در اینجا ما روشی تازه به نام LECTOR برای طراحی گیت های سیموس که به  طور قابل توجهی جریان نشتی را بدون افزایش تلفات توان پویا (دینامیک) کاهش می دهد، ارایه می کنیم. در روش پیشنهاد شده ما،دو ترنزیستور کنترل نشتی (یکی نوع n و دیگری نوع p) در درون دروازه های منطقی که ترمینال گیت هر ترانزیستور کنترل نشتی (LCT) توسط منبع گیت دیگر کنترل می شود را معرفی می کنیم. در این آرایش،یکی از LCTها (منظور ترانزیستورهای کنترل نشتی) همیشه به ازای هر ترکیب ورودی،نزدیک به ولتاژ قطع می باشد. این مقاومت مسیر Vdd به گراند را کاهش داده،که این منجر به کاهش چشمگیر جریان نشتی می شود. نت لیست سطح-گیت مدار داده شده،نخست به یک پیاده سازی گیت پیچیده ی CMOS استاتیک تبدیل شده،و سپس LCTها به منظور دستیابی به یک مدار کنترل نشتی معرفی می شوند. ویژگی قابل توجه LECTOR این است که در هر دو حالت فعال و غیرفعال مدار،فعال می باشد که این منجر به کاهش نشتی بهتری نسبت به روش های دیگر می شود. همچنین،روش ارایه شده، دارای محدودیت های کمتری نسبت به دیگر روش های موجود برای کاهش نشتی دارد. نتایج تجربی نشان دهنده ی یک کاهش نشتی متوسط 79.4 درصدی را برای مدارات محک(بنچ مارک) MCNC’91 نشان می دهند.

:: برچسب‌ها: LECTOR , CMOS , کاهش نشتی , مدارات CMOS , Technique , Leakage Reduction , CMOS Circuits , مقاله انگلیسی برق , مقاله انگلیسی برق و الکترونیک , مقاله انگلیسی برق با ترجمه , مقاله انگلیسی برق با ترجمه فارسی ,
:: بازدید از این مطلب : 79

|

امتیاز مطلب : 0

|

تعداد امتیازدهندگان : 0

|

مجموع امتیاز : 0

یکی از جامع ترین کتاب ها در زمینه طراحی و شبیه سازی و لایوت مدارهای CMOS

:: برچسب‌ها: CMOS , Layout , Circuit Design ,
:: بازدید از این مطلب : 173

|

امتیاز مطلب : 0

|

تعداد امتیازدهندگان : 0

|

مجموع امتیاز : 0

طراحی و مدلسازی مدارهای CMOS موج میلی متری برای فرستنده گیرنده های بی سیم مبتنی بر تکنولوژی های زیر 100 نانومترDesign and Modeling of Millimeter-Wave CMOS Circuits
for Wireless Transceivers

:: برچسب‌ها: CMOS , Millimeter-Wave , Wireless , Transceivers ,
:: بازدید از این مطلب : 153

|

امتیاز مطلب : 0

|

تعداد امتیازدهندگان : 0

|

مجموع امتیاز : 0

تعیین مشخصه های اینورتر CMOS غیر-معمولی جدید، ساخته شده از یک NMOSFET بدون اتصال و یک ترانزیستور  کنترل شده
    چکیده__در این مقاله، ما یک اینورتر CMOS غیر-معمولی ساخته شده از یک NMOSFET بدون اتصال (JL) و یک ترانزیستور  را با فرآیند ساده و چگالی بالای مدار مجتمع، ارایه می دهیم. در اینورتر CMOS غیر-معمولی، به ترتیب، NMOSFET JL به عنوان تحریک و ترانزیستور   به عنوان یک بار، عمل می کند. ما بنابر اطلاعات اندازه گیری شده ی ترانزیستور  ، خط بار اینورتر CMOS را ترسیم کرده و دریافتیم که ترانزیستور   می تواند در مدارات CMOS به منظور بهبود مسایل مربوط به CMOS های مرسوم امروزی، استفاده شود. به علاوه، کاهش سطح 46.1% نیز دست اور دیگر ما است.

:: برچسب‌ها: CMOS , NMOSFET , اینورتر , ترانزیستور کنترل شده , ترانزیستور , Characterization , Novel Non-traditional CMOS Inverter Composed , Junctionless NMOSFET , Gated N+ , N- , P Transistor , مقاله انگلیسی برق , مقاله انگلیسی برق با ترجمه , مقاله انگلیسی برق با ترجمه فارسی , مقاله انگلیسی برق و الکترونیک ,
:: بازدید از این مطلب : 117

|

امتیاز مطلب : 0

|

تعداد امتیازدهندگان : 0

|

مجموع امتیاز : 0

فهرست مطالب

مقدمه ای در مورد ترانزیستور ماسفت
بررسی ساختار ترانزیستور ماسفت
اعمال ولتاژ به گیت
نحوه عملکرد ترانزیستور MOSFET
معادله جریان ولتاژ ترانزیستور MOSFET
خازن های ترانزیستور MOS
آثار کاهش ابعاد ترانزیستور
پدیده اتصال دو ناحیه تهی Punch-through
پدیده کاهش ولتاژ آستانه به صورت القایی توسط درین
اشباع شدن سرعت حامل ها و تأثیر آن بر معادله جریان
هدایت در زیر آستانه
محاسبه تمامی مقادیر ترانزیستور MOS
سورس مشترک
تقویت کننده با بار دیودی
تقویت کننده با بار فعال
ساختار سورس مشترک با مقاومت RS در گیت
محاسبه ROUT
درین مشترک
گیت مشترک
محاسبه بهره ولتاژ و مقادیر مختلف مداری در حالت های مختلف
آرایش کاسکودی
منابع جریان
آینه جریان
آینه جریان کاسکودی
تقویت کننده تفاضلی
تحلیل مد تفاضلی
زوج تفاضلی با MOS
زوج تفاضلی با منبع جریان
تحلیل مد تفاضلی و مد مشترک
فیدبک

خلاصه، نکات کلیدی، راهنمای حل بخش های مشکل و حل تمرینات حل نشده به پیوست در انتهای جزوه اضافه شده اند.

:: برچسب‌ها: CMOS , جزوه CMOS , جزوه مدار مجتمع , ماسفت , MOSFET , MOS , جزوه کامل مدارهای مجتمع خطی کارشناسی ارشد , جزوات کارشناسی ارشد , پروفسور بهزاد رضوی , جزوه مدارهای مجتمع خطی کارشناسی ارشد ,
:: بازدید از این مطلب : 180

|

امتیاز مطلب : 0

|

تعداد امتیازدهندگان : 0

|

مجموع امتیاز : 0