مزیت کارایی مورد انتظار در یک CNTFET در افزاره
واقعی بنظر می آید که قابل دستیابی نباشد و به اندازه کافی برای CV/I پایین بیاید(6
برابر برای nFET
و 14 برابر برای pFET)
براساس شرایط غیر ایده آل افزاره/مدار. این شرایط غیر ایده آل شامل مقاومت سری
نواحی سورس/درین ناخالص سازی شده ، مقاومت سد شاتکی (SB) در واسطه ی
فلز/CNT ، خازن لبه
خارجی گیت و خازن اتصالات داخلی. به هر حال نیاز ها برای توان مصرفی کمتر و فرکانس
کاری بالاتر در هندسه افزاره و مقیاس بندی تغذیه
با یک افزایش مناسب در دمای کایر برای افزاره نتیجه می شود.
در این تحقیق سعی داریم ساختار جدید برای جمع کننده ها ارائه که دهیم که مبتنی
برانزیستورها ی کربن نانوتیوب هستند. همچنین بهبودی های حاصله را با مدارهای جمع
کننده ی موجود در تکنولوژی CMOS مقایسه نماییم.
چون زمینه ی
ترانزیستورهای کربن نانوتیوب از جدید ترین تکنولوژی های تحقیقاتی است لذا تحقیق در
مور مدار های آنالوگ و دیجیتال مبتنی بر این ترانزیستورها کم انجام گردیده است. در
سال 2010 گروهی تحقیقاتی در دانشگاه شهید بهشتی با سرپرستی دکتر کیوان ناوی اولین نمونه
از جمع کننده ار ارائه دادند. این جمع کننده ساختار ساده ای داشته که فقط از خازن
و معکوس گر در ساختارش استفاده شده است. از طرف دیگر در سرعت و توان-تاخیر بهبودی
حاصل شده است. در سال 2011 محققان دانشگاه آزاد اسلامی نیز نمونه ی دیگری از این
کارها را ارائه نمودند. در این تحقیق مسئله ولتاژ آستانه ترانزیستورهای کربن
نانوتیوب با استفاده از گیت های معکوس کننده حل گردیده است. در سال 2012 نمونه ای
ارائه شد که یک تمام جمع کننده ی دینامیک بود از طرف دیگر ولتاژ آستانه
ترانزیستورها سه نوع مختلف انتخاب گردید.
عضو شوید
عضویت سریع
آمار مطالب
آمار بازدید
