|
|
|
تعیین مشخصه های اینورتر CMOS غیر-معمولی جدید، ساخته شده از یک NMOSFET بدون اتصال و یک ترانزیستور کنترل شده
چکیده__در این مقاله، ما یک اینورتر CMOS غیر-معمولی ساخته شده از یک NMOSFET بدون اتصال (JL) و یک ترانزیستور را با فرآیند ساده و چگالی بالای مدار مجتمع، ارایه می دهیم. در اینورتر CMOS غیر-معمولی، به ترتیب، NMOSFET JL به عنوان تحریک و ترانزیستور به عنوان یک بار، عمل می کند. ما بنابر اطلاعات اندازه گیری شده ی ترانزیستور ، خط بار اینورتر CMOS را ترسیم کرده و دریافتیم که ترانزیستور می تواند در مدارات CMOS به منظور بهبود مسایل مربوط به CMOS های مرسوم امروزی، استفاده شود. به علاوه، کاهش سطح 46.1% نیز دست اور دیگر ما است.
:: برچسب‌ها:
CMOS ,
NMOSFET ,
اینورتر ,
ترانزیستور کنترل شده ,
ترانزیستور ,
Characterization ,
Novel Non-traditional CMOS Inverter Composed ,
Junctionless NMOSFET ,
Gated N+ ,
N- ,
P Transistor ,
مقاله انگلیسی برق ,
مقاله انگلیسی برق با ترجمه ,
مقاله انگلیسی برق با ترجمه فارسی ,
مقاله انگلیسی برق و الکترونیک ,
:: بازدید از این مطلب : 127
|
امتیاز مطلب : 0
|
تعداد امتیازدهندگان : 0
|
مجموع امتیاز : 0
تاریخ انتشار : دو شنبه 28 مرداد 1395 |
نظرات ()
|
|
|
|
|
عضو شوید
عضویت سریع
آمار مطالب
آمار بازدید
